电子封装技术发展历程？

一、电子封装技术发展历程？

第一阶段（20世纪70年代之前）

以通孔插装型封装为主；典型的封装形式包括最初的金属圆形(TO型)封装，以及后来的陶瓷双列直插封装(CDIP)、陶瓷-玻璃双列直插封装(Cer DIP)和塑料双列直插封装(PDIP)等；其中的PDIP,由于其性能优良、成本低廉，同时又适于大批量生产而成为这一阶段的主流产品。

第二阶段（20世纪80年代以后）

从通孔插装型封装向表面贴装型封装的转变，从平面两边引线型封装向平面四边引线型封装发展。表面贴装技术被称为电子封装领域的一场革命，得到迅猛发展。与之相适应，一些适应表面贴装技术的封装形式，如塑料有引线片式裁体（PLCC）、塑料四边引线扁平封装（PQFP）、塑料小外形封装（PSOP）以及无引线四边扁平封装（PQFN）等封装形式应运而生，迅速发展。其中的PQFP，由于密度高、引线节距小、成本低并适于表面安装，成为这一时期的主导产品。

第三阶段（20世纪90年代以后）

半导体发展进入超大规模半导体时代，特征尺寸达到0.18-0.25µm，要求半导体封装向更高密度和更高速度方向发展。因此，半导体封装的引线方式从平面四边引线型向平面球栅阵列型封装发展，引线技术从金属引线向微型焊球方向发展。

在此背景下，焊球阵列封装（BGA）获得迅猛发展，并成为主流产品。BGA按封装基板不同可分为塑料焊球阵列封装（PBGA），陶瓷焊球阵列封装（CBGA），载带焊球阵列封装（TBGA），带散热器焊球阵列封装(EBGA)，以及倒装芯片焊球阵列封装（FC-BGA）等。

为适应手机、笔记本电脑等便携式电子产品小、轻、薄、低成本等需求，在BGA的基础上又发展了芯片级封装（CSP）;CSP又包括引线框架型CSP、柔性插入板CSP、刚性插入板CSP、园片级CSP等各种形式，目前处于快速发展阶段。

同时，多芯片组件（MCM）和系统封装（SiP）也在蓬勃发展，这可能孕育着电子封装的下一场革命性变革。MCM按照基板材料的不同分为多层陶瓷基板MCM（MCM-C）、多层薄膜基板MCM（MCM-D）、多层印制板MCM（MCM-L）和厚薄膜混合基板MCM（MCM-C/D）等多种形式。SiP是为整机系统小型化的需要，提高半导体功能和密度而发展起来的。

SiP使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路如CMOS电路、GaAs电路、SiGe电路或者光电子器件、MEMS器件以及各类无源元件如电阻、电容、电感等集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。

目前，半导体封装处于第三阶段的成熟期与快速增长期，以BGA/CSP等主要封装形式开始进入规模化生产阶段。同时，以SiP和MCM为主要发展方向的第四次技术变革处于孕育阶段。

二、为什么圆形比方形受热均匀?

如果默认热量是从这俩的中心扩散的话，圆因为圆心到圆周的距离在各个方向上相等所以热扩散的时候各个方向的受热程度都一样，而正方形的话明显从中心到边上在各个方向上的距离不一。

你的加热方式应该是在圆形和方形的几何中心加热的吧

因为圆周上的各个点对于园的几何中心位置都是一样的

但方形就不一样了

所以圆形受热均匀

表面过度均匀，光滑，不像方形有棱。

I think you are the participant of 2013 MCM, and you have broken the rules of our contest. I have recorded your IP address. Therefore, you can go home and enjoy your Spring Festival.

----- COMAP

三、急需！如图,两圆相交于C,D,AB为公切线,若AB=12,CD=9,则MD=

由切割线定理，得，

AM²=DM*MC,

BM²=MD*MC

所以AM²=BM²

即AM=BM=AB/2=6

代入，得，

6²=MD*MC

即36=MD(MD+9)

解得MD=3

AM*AM=MD*MC

MB*MB=MD*MC

所以AM=MB=6

MC=MD DC

所以MD*MD 9MD-36=0

MD=3

AM*AM=MD*MC